Crystal IS, Inc., the manufacturer of ultraviolet light emitting diodes (UV LEDs) based on aluminum nitride (AlN) substrate technology, will receive an $800,000 appropriation from the US Department of Defense to advance development of large AlN crystals for effective deep ultraviolet sources. Crystal IS, Inc., valmistajan UV-valoa säteilevää diodia (UV-LED), joka perustuu alumiini nitridillä (AlN) substraatti tekniikkaa, saavat $ 800000 Määräraha alkaen US Department of Defense edistää kehitystä suurten AlN kiteet tehokkaan syvä UV-lähteet .
AlN has been demonstrated to be superior for deep UV light-emitting applications of great [...] AlN on osoitettu olevan parempi syvänmeren UV-valoa hakemusten suuri [...]